為你介紹ATOS電磁閥各種參數的
為你介紹ATOS電磁閥各種參數的
ATOS電磁閥需要采用長(cháng)頸閥蓋結構,其日的是減少外界傳入裝置中的熱量;填料箱部位的溫度在0℃以上,使填料可以正常工作;防止因填料函部分過(guò)冷而使處在填料函部位的閥桿以及閥蓋上部的零件結霜或凍結。
長(cháng)頸閥蓋的設計主要是頸部長(cháng)度L的設計,L指的是填料函底部到上密封座上表面的距離,它和材料的導熱系數、導熱面積及表面散熱系數、散熱面積等因素有關(guān),計算比較繁瑣,般由實(shí)驗法求得。
ATOS電磁閥泄壓部件的分析
異常升壓的問(wèn)題般只存在于低溫閘閥中。當閘閥閘板關(guān)閉后,殘留在閥體中腔的低溫介質(zhì)從周?chē)h(huán)境中吸收熱量,迅速汽化,在閥體內產(chǎn)生很高的壓強。異常升壓的危害很大,它可能將閘板緊緊地壓在閥座上,導致閘板卡死,使閥門(mén)不能正常工作,也可能沖壞填料和法蘭墊片,甚引起閥體。因此必須采取措施加以避免。
常用的措施是設計泄壓孔和設置旁路系統。對小口徑閥門(mén)(DN≤300mm)可以直接在閘板靠近高壓側(即進(jìn)口端)設計個(gè)泄壓孔,對于大口徑閥門(mén)則需增加旁路系統。對于增加了泄壓孔或旁路系統的低溫閥門(mén)必須標明介質(zhì)流向。
ATOS電磁閥上密封裝置的設計
在閥門(mén)全開(kāi)時(shí),阻止工作介質(zhì)向填料函處泄漏的種裝置稱(chēng)為上密封裝置。
上密封裝置有兩個(gè)作用。上密封裝置可以減小工作介質(zhì)對填料的損壞。工業(yè)閥門(mén)在大多數工作時(shí)間處于開(kāi)啟狀態(tài),如無(wú)上密封裝置,則介質(zhì)壓力直接作用于填料。填料長(cháng)期處于受壓狀態(tài),易老化。二,當填料處有泄漏時(shí),全開(kāi)閥門(mén),使上密封裝置處于工作狀態(tài),就可以帶壓進(jìn)行填料更換。因此,對于閘閥和截止閥都規定要有上密封裝置。
上密封面可用在閥蓋上堆焊鉆鉻鎢硬質(zhì)合金,然后精加工、研磨而成的工藝制得(對于奧氏體不銹鋼材料的閥蓋,可直接在閥蓋上加工上密封面),也可在專(zhuān)門(mén)的上密封座上研磨而成。
ATOS電磁閥結構設計時(shí)需注意的問(wèn)題和要求
(1)低溫閥門(mén)關(guān)閉后,殘留在閥體中的低溫介質(zhì)因溫度升高而迅速氣化,造成閥體內部異常升壓的問(wèn)題;
(2)低溫對填料函密封的不利影響;
(3)零部件冷變形對閥門(mén)的有害影響;
(4)低溫介質(zhì)對零部件的防爆要求等。
(5)閥體應能充分承受溫度變化而引起的膨脹、收縮,且閥座部分的結構不會(huì )因溫度變化而產(chǎn)生變形;
(6)采用能保護填料函的長(cháng)頸閥蓋結構;
(7)采用無(wú)論溫度如何變化均能保持密封的閥瓣,例如閘閥采用彈性閘板和開(kāi)式閘板、截止閥采用錐形閥瓣等;
(8)采用上密封結構;
(9)采用鉆鉻鎢硬質(zhì)合金堆焊結構的閥座、閥瓣密封面;
(10)采用泄壓孔防止異常升壓,泄壓孔開(kāi)設位置視閥門(mén)結構而定,可以設在閥體上,也可以設在閘板上。
ATOS電磁閥的故障原因分析
ATOS電磁閥在市面上的發(fā)展快速,但也存在著(zhù)些問(wèn)題。低溫閥門(mén)產(chǎn)生泄漏的原因主要有兩種情況,是內漏;二是外漏。
1.ATOS電磁閥的內漏原因分析
低溫閥門(mén)產(chǎn)生內漏的主要原因是密封副在低溫狀態(tài)下產(chǎn)生變形所致。當介質(zhì)溫度下降到使材料產(chǎn)生相變時(shí)造成體積變化,使原本研磨精度很高的密封面產(chǎn)生翹曲變形而造成低溫密封不良。我們曾對DN250閥門(mén)進(jìn)行低溫試驗,介質(zhì)為液氮(-196℃)蝶板材料為ATOS電磁閥發(fā)現密封面翹曲變形量達0.12mm左右,這是造成內漏的主要原因。
2.低溫ATOS電磁閥的外漏原因分析
是由于閥門(mén)與管路采用法蘭連接方式時(shí),由于連接墊料、連接螺栓、以及連接件在低溫下材料之間收縮不同步產(chǎn)生松弛而導泄漏。因此我們把閥體與管路的連接方式由法蘭連接改為焊接結構,避免了低溫泄漏。二是由于是閥桿與填料處的泄漏。般多數閥門(mén)的填料采用F4,因為它的自滑、摩擦系數?。▽︿摰哪Σ料禂礷=0.05~0.1),又具有*的化學(xué)穩定性,因此得到廣泛應用。但F4也有不足之處,是冷流傾向大;二是線(xiàn)膨脹系數大,在低溫下產(chǎn)生冷縮導致滲漏,造成閥桿處結冰,使閥門(mén)開(kāi)啟失靈。為此研制的低溫蝶閥采用自縮密封結構即利用F4膨脹系數大的特點(diǎn),通過(guò)予留的間隙達到常溫、低溫都可以密封的目的。