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SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)
SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)設計出內部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統般通過(guò)延長(cháng)受光部分與受光元件(CMOS)之間的光路長(cháng)度,<NPN輸出型>同時(shí)又可實(shí)現與變位傳感器相媲美的高精度測量。紅色半導體激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)
?輸出阻抗:100Ω
實(shí)現1/100mm的高精度檢測
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
800μm(測量距離400~600mm)
? 漏電流:0.1mA以下
<PNP輸出型>
采用位移傳感器所使用的高精度CMOS影像傳感器,以及位移傳感器直使用的*的算法,
±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)
溫度特性 0.03% F.S./℃
重復精度 200μm
300μm(測量距離200~400mm)
設計出內部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統
般通過(guò)延長(cháng)受光部分與受光元件(CMOS)之間的光路長(cháng)度,
<NPN輸出型>
同時(shí)又可實(shí)現與變位傳感器相媲美的高精度測量。
紅色半導體激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
? 溫度特性:0.03%F.S./℃
不僅能以mm為單位顯示數值,還能讀取模擬輸出數值。
PNP開(kāi)路集電晶體管
? zui大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
但是另方面,傳感器的進(jìn)深方向會(huì )變長(cháng),機身形狀也會(huì )變大。
從而可獲得精度更高、更穩定的測量值,
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時(shí))
形狀達到業(yè)內小型※的CMOS激光傳感器
SUNX日本進(jìn)口CMOS型微型激光位移傳感器說(shuō)明書(shū)
? 漏電流:0.1mA以下
輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
短路保護 配備(自動(dòng)恢復)
模擬電壓輸出
?輸出范圍:0~5V(報警時(shí):+5.2V)
用測距傳感器規定測定值
? 直線(xiàn)性:±0.1%F.S.※1
讀入到PLC+模擬量單元,還能執行各種運算,并存儲(記錄)測量值。
直線(xiàn)性 ±0.2%F.S.
±0.2%F.S.(測量距離200~400mm)
NPN開(kāi)路集電晶體管
? zui大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
模擬電流輸出
?輸出范圍:4~20mA(報警時(shí):0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應時(shí)間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
采用高精度CMOS傳感器&*的算法
zui大輸出:1mW、投光波峰波長(cháng):655nm
電源電壓 12~24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流(注4)
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
使距離設定反射型傳感器實(shí)現*的高精度(1/100mm)。
測量距離 200mm
HG-C系列設計出內部安裝有反射鏡的新型光學(xué)系統,并縮短進(jìn)深方向的尺寸,
測量范圍 ±80mm
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